IPW60R070P6

IPW60R070P6 Infineon Technologies


Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.81 грн
10+402.94 грн
100+282.74 грн
480+251.58 грн
1200+215.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R070P6 Infineon Technologies

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R070P6 за ціною від 658.82 грн до 773.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R070P6 IPW60R070P6 Виробник : Infineon Technologies 59ds_ipw60r070p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+773.59 грн
25+737.88 грн
50+708.19 грн
100+658.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6 Виробник : Infineon technologies Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.