IPW60R070P6XKSA1 - Транзисторы - Полевые N-канальные

IPW60R070P6XKSA1

Код товара: 165846
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание IPW60R070P6XKSA1

Цена IPW60R070P6XKSA1 от 167.67 грн до 311.46 грн

IPW60R070P6XKSA1
IPW60R070P6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 569 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
2+ 291.36 грн
10+ 247.27 грн
100+ 178.32 грн
250+ 167.67 грн
IPW60R070P6XKSA1
Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IPW60R070P6XKSA1 THT N channel transistors
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 25 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
1+ 311.46 грн
2+ 206.35 грн
6+ 196.73 грн
IPW60R070P6XKSA1
IPW60R070P6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 100V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IPW60R070P6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IPW60R070P6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину