Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R080P7
IPW60R080P7

IPW60R080P7 Infineon Technologies

Infineon_IPW60R080P7_DS_v02_01_EN-3362671.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R080P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: THT, Power dissipation: 129W, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 23A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO247-3.

Інші пропозиції IPW60R080P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R080P7 IPW60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 129W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7 IPW60R080P7.pdf
IPW60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 129W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.