Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPW60R080P7XKSA1 транзистор

IPW60R080P7XKSA1 транзистор

Код товару: 221393
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R080P7XKSA1 транзистор за ціною від 161.96 грн до 516.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+283.32 грн
500+269.27 грн
1000+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfab2a0026a Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.46 грн
30+262.34 грн
120+219.08 грн
510+175.85 грн
1020+164.99 грн
2010+161.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 INFINEON 2718794.pdf Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R080P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+283.32 грн
500+269.27 грн
1000+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 Infineon-IPW60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfab2a0026a
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+476.46 грн
30+262.34 грн
120+219.08 грн
510+175.85 грн
1020+164.99 грн
2010+161.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+516.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 2718794.pdf
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 infineonipw60r080p7dsv0201en.pdf
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R080P7XKSA1 Infineon_IPW60R080P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPW60R080P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.