Інші пропозиції IPW60R080P7XKSA1 Транзистор за ціною від 183.56 грн до 560.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V |
на замовлення 10047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R080P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 124+ | 285.23 грн |
| 500+ | 271.08 грн |
| 1000+ | 255.76 грн |
| IPW60R080P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.18 грн |
| 10+ | 335.57 грн |
| 100+ | 234.71 грн |
| 480+ | 208.63 грн |
| 1200+ | 184.66 грн |
| IPW60R080P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 10047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 560.60 грн |
| 30+ | 308.58 грн |
| 120+ | 257.70 грн |
| 510+ | 206.84 грн |
| 1020+ | 194.07 грн |
| 2010+ | 183.56 грн |
| IPW60R080P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)