IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 309.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW60R090CFD7XKSA1 за ціною від 183.48 грн до 611.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPW60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |