IPW60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 378.71 грн |
| 30+ | 204.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 176W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.
Інші пропозиції IPW60R099CM8XKSA1 за ціною від 243.39 грн до 524.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 524.38 грн |
| 30+ | 294.06 грн |
| 120+ | 243.39 грн |
| IPW60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 524.38 грн |
| 48+ | 294.06 грн |
| 120+ | 243.39 грн |
| IPW60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW60R099CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)