IPW60R099CPFKSA1


IPW60R099CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca4c24745
Код товару: 189155
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R099CPFKSA1 за ціною від 232.60 грн до 607.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.42 грн
30+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.42 грн
36+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.27 грн
35+405.25 грн
120+380.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.69 грн
30+407.33 грн
120+382.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R099CP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+515.20 грн
5+413.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R099CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca4c24745 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.53 грн
30+340.72 грн
120+287.12 грн
510+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R099CP_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 INFINEON INFNS16488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+460.42 грн
30+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+460.42 грн
36+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+470.27 грн
35+405.25 грн
120+380.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 infineonipw60r099cpdsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+472.69 грн
30+407.33 грн
120+382.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+515.20 грн
5+413.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca4c24745
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.53 грн
30+340.72 грн
120+287.12 грн
510+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 Infineon_IPW60R099CP_DS_v02_01_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 INFNS16488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.