IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 338.92 грн |
| 10+ | 319.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW60R099P6XKSA1 за ціною від 146.22 грн до 529.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |