IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.64 грн |
| 30+ | 214.45 грн |
| 120+ | 177.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW60R099P6XKSA1 за ціною від 147.74 грн до 498.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM |
на замовлення 1548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R099P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPW60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |