IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 205.84 грн |
| 70+ | 203.10 грн |
| 120+ | 202.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 117W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW60R099P7XKSA1 за ціною від 131.10 грн до 386.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 206.30 грн |
| 30+ | 203.55 грн |
| 120+ | 202.78 грн |
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 208.15 грн |
| 69+ | 205.45 грн |
| 120+ | 204.48 грн |
| 510+ | 197.08 грн |
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329.86 грн |
| 30+ | 177.73 грн |
| 120+ | 146.81 грн |
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.48 грн |
| 10+ | 213.99 грн |
| 100+ | 153.65 грн |
| 480+ | 139.56 грн |
| 1200+ | 131.10 грн |
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)