IPW60R120CM8XKSA1

IPW60R120CM8XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipw60r120cm8-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+252.25 грн
76+164.04 грн
120+139.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R120CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 131W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW60R120CM8XKSA1 за ціною від 98.13 грн до 350.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R120CM8XKSA1 IPW60R120CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120cm8-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.27 грн
30+175.76 грн
120+149.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1 IPW60R120CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R120CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197173a9b7930bd Description: IPW60R120CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.35 грн
30+152.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1 IPW60R120CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IPW60R120CM8_2_0.pdf MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.32 грн
10+210.59 грн
100+137.53 грн
480+121.31 грн
1200+104.31 грн
2640+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1 IPW60R120CM8XKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPW60R120CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197173a9b7930bd Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.17 грн
10+229.69 грн
100+171.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1 IPW60R120CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120cm8-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.