Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R120P7XKSA1
IPW60R120P7XKSA1

IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipw60r120p7-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+226.89 грн
64+219.49 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW60R120P7XKSA1 за ціною від 112.15 грн до 352.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.96 грн
10+169.16 грн
30+156.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+258.82 грн
10+250.89 грн
25+205.79 грн
100+174.37 грн
480+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+259.62 грн
56+251.68 грн
68+206.44 грн
100+174.92 грн
480+132.70 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R120P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.94 грн
10+204.60 грн
100+146.76 грн
480+112.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.