
IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 332.65 грн |
30+ | 187.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPW60R125CFD7XKSA1 за ціною від 131.69 грн до 436.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPW60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |