
IPW60R125CP Infineon Technologies
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.60 грн |
10+ | 421.15 грн |
25+ | 345.67 грн |
100+ | 296.50 грн |
240+ | 279.62 грн |
480+ | 263.47 грн |
1200+ | 225.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R125CP Infineon Technologies
Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R125CP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IPW60R125CP | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IPW60R125CP Код товару: 143316
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
IPW60R125CP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |