
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R125CPFKSA1 за ціною від 127.75 грн до 319.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO247-3 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPW60R125CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |