IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPW60R125P6_DS_v02_00_en-1732097.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:

термін постачання 316-325 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.12 грн
10+ 337.04 грн
25+ 280.4 грн
100+ 230.99 грн
240+ 230.33 грн
480+ 197.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R125P6XKSA1 за ціною від 292.83 грн до 292.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товар відсутній
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній