Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R125P6XKSA1
IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+236.29 грн
500+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 155 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R125P6XKSA1 за ціною від 131.53 грн до 416.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+236.29 грн
500+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.92 грн
30+222.11 грн
120+208.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+268.07 грн
66+222.24 грн
120+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+378.03 грн
7+139.07 грн
19+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.45 грн
30+207.65 грн
60+188.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipw60r125p6_datasheet_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+416.61 грн
10+209.17 грн
100+166.30 грн
480+141.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+236.29 грн
500+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+267.92 грн
30+222.11 грн
120+208.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+268.07 грн
66+222.24 грн
120+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6-DTE.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+378.03 грн
7+139.07 грн
19+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+384.45 грн
30+207.65 грн
60+188.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 infineon_ipw60r125p6_datasheet_en.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.61 грн
10+209.17 грн
100+166.30 грн
480+141.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.