IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59543CDD019D1BF&compId=IPW60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=088cedc48e6352559a5ff6e64b1bf0a9857977f4 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.68 грн
10+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R125P6XKSA1 за ціною від 124.42 грн до 353.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59543CDD019D1BF&compId=IPW60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=088cedc48e6352559a5ff6e64b1bf0a9857977f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.42 грн
10+151.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+183.99 грн
73+170.80 грн
100+163.45 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+193.26 грн
25+168.59 грн
100+158.94 грн
240+152.97 грн
480+124.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+250.36 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R125P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.35 грн
25+202.59 грн
100+155.30 грн
240+154.53 грн
480+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.55 грн
30+190.75 грн
120+157.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.