IPW60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET HIGH POWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
на замовлення 98190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 143+ | 150.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPW60R145CFD7XKSA1 за ціною від 129.48 грн до 356.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET HIGH POWER Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Part Status: Active |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPW60R145CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |