IPW60R160C6 Infineon


INFN-S-A0004583452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+263.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R160C6 Infineon

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R160C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R160C6 Infineon technologies INFN-S-A0004583452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6 INFN-S-A0004583452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.