IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 168.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW60R160C6FKSA1 за ціною від 127.79 грн до 379.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IPW60R160C6FKSA1 Код товару: 206426
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R160C6FKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |