Продукція > Транзистори > IGBT > IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6FKSA1

fundamentals-of-power-semiconductors
Код товару: 206426
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R160C6FKSA1 за ціною від 189.88 грн до 456.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon info-tipw60r160c6.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+259.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.44 грн
10+226.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.53 грн
56+253.47 грн
57+241.94 грн
100+189.88 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.31 грн
10+258.76 грн
25+256.16 грн
50+244.50 грн
100+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 info-tipw60r160c6.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+259.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.44 грн
10+226.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+451.53 грн
56+253.47 грн
57+241.94 грн
100+189.88 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+456.31 грн
10+258.76 грн
25+256.16 грн
50+244.50 грн
100+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.