IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies


2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPW60R160C6FKSA1 за ціною від 141.64 грн до 395.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+190.69 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+204.89 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+349.08 грн
10+235.46 грн
100+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3 Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R160C6_DS_v02_03_EN-3362935.pdf MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.58 грн
10+316.50 грн
25+206.23 грн
100+176.87 грн
240+164.40 грн
480+144.58 грн
1200+141.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426
Додати до обраних Обраний товар

IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.