IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.04 грн |
| 30+ | 226.72 грн |
| 120+ | 188.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW60R165CPFKSA1 за ціною від 419.23 грн до 473.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R165CPFKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
IPW60R165CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |