IPW60R180P7 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 387.37 грн |
| 40+ | 370.73 грн |
| 50+ | 356.61 грн |
| 100+ | 332.20 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
38 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R180P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 72W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 25nC, Version: ESD.
Інші пропозиції IPW60R180P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R180P7 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R180P7 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.