IPW60R180P7 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 374.87 грн |
| 40+ | 358.77 грн |
| 50+ | 345.10 грн |
| 100+ | 321.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R180P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 72W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 25nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції IPW60R180P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7 | Infineon |
на замовлення 54960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R180P7 |
Виробник: Infineon
на замовлення 54960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

