IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 157.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
233 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.
Інші пропозиції IPW60R180P7XKSA1 за ціною від 96.75 грн до 358.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 4254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 132960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 14905 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 157.12 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 170.75 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 179.22 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 4254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.01 грн |
| 30+ | 150.52 грн |
| 60+ | 135.68 грн |
| 120+ | 115.59 грн |
| 510+ | 96.75 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 288.67 грн |
| 69+ | 214.37 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 132960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 295.07 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 14905 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.21 грн |
| 10+ | 150.26 грн |
| 100+ | 119.53 грн |
| 480+ | 98.74 грн |
| 2640+ | 98.00 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 358.15 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 358.15 грн |
| IPW60R180P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)