IPW60R180P7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 220.93 грн |
| 10+ | 188.73 грн |
| 25+ | 149.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R180P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW60R180P7XKSA1 за ціною від 106.15 грн до 365.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R180P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |