Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R180P7XKSA1
IPW60R180P7XKSA1

IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipw60r180p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
86+165.23 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPW60R180P7XKSA1 за ціною від 76.44 грн до 292.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw60r180p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.36 грн
30+119.83 грн
120+97.69 грн
510+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R180P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 24439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.58 грн
10+176.70 грн
100+113.48 грн
480+93.74 грн
1200+87.40 грн
2640+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 132960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+285.53 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON 2362701.pdf Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+190.77 грн
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 infineon-ipw60r180p7-ds-v02_03-en.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 infineon-ipw60r180p7-ds-en.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+228.36 грн
30+119.83 грн
120+97.69 грн
510+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 Infineon_IPW60R180P7_DS_v02_03_EN.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 24439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.58 грн
10+176.70 грн
100+113.48 грн
480+93.74 грн
1200+87.40 грн
2640+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 infineon-ipw60r180p7-ds-v02_03-en.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 132960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
240+285.53 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 2362701.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+190.77 грн
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.