Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R190C6FKSA1
IPW60R190C6FKSA1

IPW60R190C6FKSA1 Infineon Technologies

1483630269848341infineon-ipb60r190c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432239cccd012265.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R190C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R190C6FKSA1 за ціною від 137.53 грн до 387.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.19 грн
3+189.73 грн
6+164.03 грн
15+154.96 грн
120+152.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.43 грн
3+236.43 грн
6+196.84 грн
15+185.95 грн
120+183.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.34 грн
30+168.84 грн
120+138.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1483630269848341infineon-ipb60r190c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432239cccd012265.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+368.24 грн
30+207.17 грн
120+170.02 грн
510+137.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1483630269848341infineon-ipb60r190c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432239cccd012265.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+387.93 грн
56+218.24 грн
120+179.11 грн
510+144.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPW60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1483630269848341infineon-ipb60r190c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432239cccd012265.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1483630269848341infineon-ipb60r190c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432239cccd012265.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R190C6_DS_v02_03_EN-3165660.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.