Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6FKSA1

IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 151W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції IPW60R190P6FKSA1 за ціною від 90.22 грн до 446.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+170.33 грн
480+143.86 грн
1200+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+170.33 грн
480+143.86 грн
1200+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+210.99 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.49 грн
30+136.52 грн
120+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.76 грн
10+182.55 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.35 грн
57+248.37 грн
120+146.76 грн
510+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.48 грн
30+249.00 грн
120+147.14 грн
510+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
240+170.33 грн
480+143.86 грн
1200+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
240+170.33 грн
480+143.86 грн
1200+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+210.99 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+258.49 грн
30+136.52 грн
120+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+278.76 грн
10+182.55 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6-DTE.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+342.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+445.35 грн
57+248.37 грн
120+146.76 грн
510+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+446.48 грн
30+249.00 грн
120+147.14 грн
510+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.