Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6FKSA1

IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+155.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 240 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 151W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції IPW60R190P6FKSA1 за ціною від 118.61 грн до 399.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+155.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+162.55 грн
500+154.24 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+162.55 грн
500+154.24 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.56 грн
30+154.25 грн
60+139.12 грн
120+118.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+333.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.31 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.52 грн
30+221.10 грн
60+197.99 грн
120+141.61 грн
510+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.74 грн
65+221.22 грн
72+198.11 грн
120+141.69 грн
510+127.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+399.17 грн
64+222.52 грн
72+199.26 грн
120+142.49 грн
510+128.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+155.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+162.55 грн
500+154.24 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+162.55 грн
500+154.24 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.56 грн
30+154.25 грн
60+139.12 грн
120+118.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6-DTE.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+333.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+359.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+359.31 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.52 грн
30+221.10 грн
60+197.99 грн
120+141.61 грн
510+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+396.74 грн
65+221.22 грн
72+198.11 грн
120+141.69 грн
510+127.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+399.17 грн
64+222.52 грн
72+199.26 грн
120+142.49 грн
510+128.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.