Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPFKSA1

IPW60R199CPFKSA1 Infineon Technologies

2225ipw60r199cp_rev25b15d.2_pcn.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+515.26 грн
33+375.29 грн
50+332.69 грн
100+302.23 грн
200+263.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R199CPFKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R199CPFKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CPFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2225ipw60r199cp_rev25b15d.2_pcn.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e44b8498f IPW60R199CPFKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CPFKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e44b8498f Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CPFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R199CP_DS_v02_04_en-1732099.pdf MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.