Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R280C6FKSA1
IPW60R280C6FKSA1

IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies

IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції IPW60R280C6FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R280C6-DS-v02_03-EN-1227306.pdf MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.