Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R280P6FKSA1
IPW60R280P6FKSA1

IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.73 грн
30+110.99 грн
120+100.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW60R280P6FKSA1 за ціною від 86.07 грн до 242.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX60R280P6_DS_v02_02_EN-1227248.pdf MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.04 грн
10+141.29 грн
100+103.00 грн
240+101.52 грн
480+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.