IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.97 грн |
| 30+ | 113.85 грн |
| 120+ | 103.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R280P6FKSA1 за ціною від 75.46 грн до 230.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 60 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R280P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |