IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 216.97 грн |
| 30+ | 113.20 грн |
| 120+ | 92.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPW60R280P6FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R280P6FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3
MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)