Продукція > INFINEON > IPW65R018CFD7XKSA1
IPW65R018CFD7XKSA1

IPW65R018CFD7XKSA1 INFINEON

3760039.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1428.2 грн
5+ 1306.12 грн
10+ 1184.05 грн
50+ 1065.4 грн
100+ 953.92 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R018CFD7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPW65R018CFD7XKSA1 за ціною від 849.87 грн до 1485.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW65R018CFD7XKSA1 IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R018CFD7_DataSheet_v02_00_EN-2498174.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1485.33 грн
10+ 1301.34 грн
25+ 1055.5 грн
50+ 1022.78 грн
100+ 989.4 грн
240+ 923.98 грн
480+ 849.87 грн
IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r018cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+1391.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r018cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf SP005413353
товар відсутній
IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r018cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube
товар відсутній
IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r018cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube
товар відсутній
IPW65R018CFD7XKSA1 IPW65R018CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R018CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdfdb6202d1 Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
товар відсутній