IPW65R018CM8XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1149.07 грн |
| 30+ | 681.57 грн |
| 60+ | 631.05 грн |
| 120+ | 552.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R018CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 521W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Інші пропозиції IPW65R018CM8XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPW65R018CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 521W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R018CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW65R018CM8XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)