Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R019C7
IPW65R019C7

IPW65R019C7 Infineon Technologies

Infineon_IPW65R019C7_DS_v02_01_en-1227156.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1679.92 грн
10+1459.27 грн
25+1234.44 грн
50+1165.45 грн
100+1097.19 грн
240+1061.97 грн
480+993.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R019C7 Infineon Technologies

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW65R019C7 за ціною від 1652.42 грн до 2137.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R019C7 IPW65R019C7 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2137.93 грн
10+2072.69 грн
20+1944.98 грн
50+1758.19 грн
100+1652.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7 Виробник : Infineon Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7 Виробник : Infineon technologies Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7 IPW65R019C7 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093 Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.