IPW65R019C7 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1825.7 грн |
| 10+ | 1599.23 грн |
| 25+ | 1297.84 грн |
| 50+ | 1257.12 грн |
| 100+ | 1216.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R019C7 Infineon Technologies
Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R019C7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R019C7 | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPW65R019C7 | Виробник : Infineon technologies |
|
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPW65R019C7 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V |
товар відсутній |