Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R019C7FKSA1
IPW65R019C7FKSA1

IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies

ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1045.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 446W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції IPW65R019C7FKSA1 за ціною від 710.80 грн до 1778.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093 Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.58 грн
30+772.32 грн
120+710.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1333.85 грн
25+1331.37 грн
100+1122.98 грн
240+1081.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1405.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1778.25 грн
25+1191.01 грн
50+1178.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R019C7_DS_v02_01_en-1227156.pdf MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093 Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1130.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1280.58 грн
30+772.32 грн
120+710.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1333.85 грн
25+1331.37 грн
100+1122.98 грн
240+1081.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1405.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1778.25 грн
25+1191.01 грн
50+1178.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 Infineon_IPW65R019C7_DS_v02_01_en-1227156.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.