IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies


ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1038.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW65R019C7FKSA1 за ціною від 690.00 грн до 1766.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093 Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1243.11 грн
30+749.72 грн
120+690.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1324.93 грн
25+1322.47 грн
100+1115.48 грн
240+1074.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1395.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1766.37 грн
25+1183.06 грн
50+1170.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R019C7_DS_v02_01_en-1227156.pdf MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 INFINEON INFNS26379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies ds_ipw65r019c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1123.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1243.11 грн
30+749.72 грн
120+690.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1324.93 грн
25+1322.47 грн
100+1115.48 грн
240+1074.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1395.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1766.37 грн
25+1183.06 грн
50+1170.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 Infineon_IPW65R019C7_DS_v02_01_en-1227156.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 INFNS26379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 ds_ipw65r019c7_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.