
IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 889.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R019C7FKSA1 за ціною від 788.03 грн до 1557.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |