на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 844.31 грн |
| 10+ | 813.05 грн |
| 25+ | 614.2 грн |
| 50+ | 611.53 грн |
| 100+ | 586.16 грн |
| 240+ | 584.83 грн |
| 480+ | 524.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R029CFD7XKSA1 за ціною від 625.25 грн до 1089.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413355 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. |
товар відсутній |