Інші пропозиції IPW65R037C6FKSA1 за ціною від 572.51 грн до 1219.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |