IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 806.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R037C6FKSA1 за ціною від 615.40 грн до 1310.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW65R037C6FKSA1 Код товару: 180225
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |