IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 599.72 грн |
| 30+ | 339.22 грн |
| 120+ | 286.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPW65R041CFD7XKSA1 за ціною від 259.38 грн до 820.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 84720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 617.26 грн |
| 480+ | 616.34 грн |
| 720+ | 585.84 грн |
| 42240+ | 520.91 грн |
| 63360+ | 451.14 грн |
| 84480+ | 410.66 грн |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 630.70 грн |
| 10+ | 365.56 грн |
| 100+ | 269.24 грн |
| 480+ | 259.38 грн |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 715.40 грн |
| 5+ | 587.94 грн |
| 10+ | 460.49 грн |
| 50+ | 394.00 грн |
| 100+ | 327.74 грн |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 820.32 грн |
| 20+ | 743.01 грн |
| 50+ | 500.22 грн |