Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R041CFDFKSA1
IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1 Infineon Technologies

ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+318.64 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R041CFDFKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW65R041CFDFKSA1 за ціною від 523.14 грн до 941.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : INFINEON INFNS17577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.47 грн
5+863.44 грн
10+796.57 грн
50+680.72 грн
100+523.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+941.74 грн
100+894.86 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+941.74 грн
100+894.86 грн
500+847.97 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+941.74 грн
100+894.86 грн
500+847.97 грн
1000+771.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r041cfd__2_01_.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R041CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d01338408155d60f9 Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R041CFD_DS_v02_00_en-1534460.pdf MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.