IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 634.76 грн |
| 5+ | 573.84 грн |
| 10+ | 512.09 грн |
| 50+ | 423.53 грн |
| 100+ | 374.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R041CFDFKSA1 за ціною від 866.70 грн до 971.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R041CFDFKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPW65R041CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 |
товару немає в наявності |