IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 798.48 грн |
| 30+ | 462.69 грн |
| 120+ | 395.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPW65R041CFDFKSA2 за ціною від 377.79 грн до 1143.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon |
|
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 856.01 грн |
| 25+ | 492.81 грн |
| 100+ | 382.02 грн |
| 480+ | 377.79 грн |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 910.28 грн |
| 5+ | 845.32 грн |
| 10+ | 779.54 грн |
| 50+ | 518.46 грн |
| 100+ | 426.42 грн |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 1133.60 грн |
| 30+ | 655.80 грн |
| 120+ | 584.27 грн |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1143.52 грн |
| 30+ | 661.54 грн |
| 120+ | 589.38 грн |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)