Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R045C7
IPW65R045C7

IPW65R045C7 Infineon Technologies

Infineon_IPW65R045C7_DS_v02_01_en-1732082.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+888.76 грн
10+723.30 грн
25+568.05 грн
100+503.46 грн
240+477.77 грн
480+455.76 грн
1200+438.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R045C7 Infineon Technologies

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW65R045C7 за ціною від 1017.68 грн до 1300.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R045C7 IPW65R045C7 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1300.77 грн
20+1265.83 грн
50+1191.67 грн
100+1080.22 грн
250+1017.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7 Виробник : Infineon technologies INFNS27212-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7 IPW65R045C7 Виробник : Infineon Technologies INFNS27212-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.