IPW65R045C7 Infineon Technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 490-499 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 989.18 грн |
| 10+ | 859.12 грн |
| 25+ | 727.03 грн |
| 50+ | 686.97 грн |
| 100+ | 574.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R045C7 Infineon Technologies
Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R045C7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R045C7 | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPW65R045C7 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
товар відсутній |