Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R045C7FKSA1
IPW65R045C7FKSA1

IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies

infineonipw65r045c7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+601.34 грн
30+570.22 грн
120+564.49 грн
510+538.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW65R045C7FKSA1 за ціною від 347.21 грн до 641.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies infineonipw65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.87 грн
30+571.67 грн
120+565.92 грн
510+540.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies DS_IPW65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7901c1200031 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.19 грн
30+368.88 грн
120+347.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 INFINEON INFNS27212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 infineonipw65r045c7dsv0201en.pdf
IPW65R045C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+602.87 грн
30+571.67 грн
120+565.92 грн
510+540.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 DS_IPW65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7901c1200031
IPW65R045C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+641.19 грн
30+368.88 грн
120+347.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 INFNS27212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R045C7FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.