IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 605.39 грн |
| 30+ | 574.06 грн |
| 120+ | 568.29 грн |
| 510+ | 542.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPW65R045C7FKSA1 за ціною від 357.67 грн до 660.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPW65R045C7FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 606.93 грн |
| 30+ | 575.52 грн |
| 120+ | 569.73 грн |
| 510+ | 543.92 грн |
| IPW65R045C7FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 660.51 грн |
| 30+ | 380.00 грн |
| 120+ | 357.67 грн |