Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R045C7FKSA1
IPW65R045C7FKSA1

IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies

ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPW65R045C7FKSA1 за ціною від 357.79 грн до 778.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 37680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+609.53 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.81 грн
10+451.44 грн
100+427.14 грн
240+398.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+687.29 грн
26+484.94 грн
100+458.85 грн
240+428.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R045C7_DS_v02_01_en-1732082.pdf MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+725.78 грн
10+697.44 грн
25+417.46 грн
100+401.09 грн
240+398.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+729.59 грн
5+728.75 грн
10+727.92 грн
50+594.54 грн
100+515.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+745.07 грн
20+638.52 грн
50+624.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPW65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7901c1200031 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+778.39 грн
30+428.21 грн
120+397.72 грн
510+357.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipw65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAFD47D4B11BF&compId=IPW65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=8d648a3816212f060a23a19c0413946ef1df3829 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAFD47D4B11BF&compId=IPW65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=8d648a3816212f060a23a19c0413946ef1df3829 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.