IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R045C7FKSA1 за ціною від 445.57 грн до 1076.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 643-652 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 46 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 227 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R045C7FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |