IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 957.13 грн |
| 10+ | 843.29 грн |
| 25+ | 729.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R048CFDAFKSA1 за ціною від 872.57 грн до 1849.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 498-507 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R048CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |