на замовлення 480 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 706.45 грн |
| 10+ | 629.56 грн |
| 100+ | 453.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R060CFD7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SP005433699 |
товар відсутній |
||
 |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V |
товар відсутній |