IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 616.66 грн |
| 29+ | 499.74 грн |
| 50+ | 466.74 грн |
| 100+ | 402.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R060CFD7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




