IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 616.66 грн |
| 29+ | 499.74 грн |
| 50+ | 466.74 грн |
| 100+ | 402.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
23 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 171W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.
Інші пропозиції IPW65R060CFD7XKSA1 за ціною від 656.78 грн до 656.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IPW65R060CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 171W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 656.78 грн |
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 656.78 грн |
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: INFINEON - IPW65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)