IPW65R065C7XKSA1

IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies


3619ds_ipw65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+302.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW65R065C7XKSA1 за ціною від 310.44 грн до 853.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd01420db363eb63ee Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.07 грн
10+ 502.24 грн
100+ 418.57 грн
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R065C7_DS_v02_00_en-1227309.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+669.06 грн
10+ 565.84 грн
25+ 463.32 грн
100+ 410.58 грн
240+ 409.91 грн
480+ 325.13 грн
1200+ 310.44 грн
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3619ds_ipw65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+844.2 грн
10+ 757.3 грн
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3619ds_ipw65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+853.41 грн
16+ 765.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3619ds_ipw65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3619ds_ipw65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній