
IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R065C7XKSA1 за ціною від 264.11 грн до 652.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
IPW65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |