IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 488.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R065C7XKSA1 за ціною від 288.79 грн до 645.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 488.15 грн |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 496.20 грн |
| 100+ | 471.45 грн |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 569.72 грн |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 594.97 грн |
| 27+ | 528.97 грн |
| 50+ | 487.36 грн |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 645.08 грн |
| 30+ | 364.16 грн |
| 60+ | 333.51 грн |
| 120+ | 288.79 грн |
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW65R065C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)