IPW65R070C6FKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 633.19 грн |
| 5+ | 587.97 грн |
| 10+ | 541.93 грн |
| 50+ | 386.23 грн |
| 100+ | 301.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R070C6FKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW65R070C6FKSA1 за ціною від 372.04 грн до 874.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPW65R070C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товару немає в наявності |