IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 371.46 грн |
| 480+ | 336.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPW65R080CFDAFKSA1 за ціною від 218.56 грн до 708.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R080CFDAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 371.46 грн |
| 480+ | 336.61 грн |
| IPW65R080CFDAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 539.58 грн |
| 30+ | 302.81 грн |
| 120+ | 255.18 грн |
| 510+ | 218.56 грн |
| IPW65R080CFDAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 708.07 грн |
| 24+ | 603.17 грн |
| IPW65R080CFDAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3
MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW65R080CFDAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)