IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 568.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.
Інші пропозиції IPW65R080CFDFKSA1 за ціною від 313.80 грн до 673.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R080CFDFKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |