IPW65R080CFDFKSA1

IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies


48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+573.81 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPW65R080CFDFKSA1 за ціною від 313.16 грн до 671.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+573.81 грн
100+545.27 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+573.81 грн
100+545.27 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+573.81 грн
100+545.27 грн
500+516.73 грн
1000+470.76 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001301486-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+589.17 грн
5+541.77 грн
10+494.36 грн
50+394.60 грн
100+324.33 грн
250+317.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R080CFD_DS_v02_04_EN-1227273.pdf MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.72 грн
10+524.15 грн
25+411.26 грн
100+364.47 грн
240+341.84 грн
480+325.99 грн
1200+313.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB3522BD531BF&compId=IPW65R080CFD-DTE.pdf?ci_sign=9425d7ac9df299ed19596fbda93012c2681a7a80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R080CFD-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432e0bea21012e14e6178c6e0a Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB3522BD531BF&compId=IPW65R080CFD-DTE.pdf?ci_sign=9425d7ac9df299ed19596fbda93012c2681a7a80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.