IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 653.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW65R080CFDFKSA1 за ціною від 454.64 грн до 781.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 43.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 43.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |