на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.51 грн |
| 10+ | 351.10 грн |
| 25+ | 272.28 грн |
| 100+ | 238.52 грн |
| 240+ | 216.50 грн |
| 480+ | 205.49 грн |
| 1200+ | 193.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R095C7 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: PG-TO247, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R095C7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R095C7 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |