IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 128+ | 237.21 грн |
| 500+ | 225.10 грн |
| 1000+ | 212.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW65R095C7XKSA1 за ціною від 176.18 грн до 498.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPW65R095C7XKSA1 Код товару: 201470
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |