Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPW65R095C7XKSA1

IPW65R095C7XKSA1

DS_IPW65R095C7_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30434208e5fd01420de7a9d56470
Код товару: 201470
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW65R095C7XKSA1 за ціною від 176.91 грн до 522.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+276.30 грн
500+261.08 грн
1000+247.03 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.75 грн
53+268.13 грн
120+232.45 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.20 грн
30+268.53 грн
120+232.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies DS_IPW65R095C7_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30434208e5fd01420de7a9d56470 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.71 грн
30+212.58 грн
120+176.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+522.62 грн
50+409.29 грн
100+299.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R095C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 INFINEON INFNS28759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+276.30 грн
500+261.08 грн
1000+247.03 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+301.75 грн
53+268.13 грн
120+232.45 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+302.20 грн
30+268.53 грн
120+232.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 DS_IPW65R095C7_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30434208e5fd01420de7a9d56470
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.71 грн
30+212.58 грн
120+176.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+522.62 грн
50+409.29 грн
100+299.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 Infineon_IPW65R095C7_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R095C7XKSA1 INFNS28759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R095C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.