Інші пропозиції IPW65R095C7XKSA1 за ціною від 146.07 грн до 516.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPW65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |