IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 472.3 грн |
30+ | 363.52 грн |
120+ | 325.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPW65R099CFD7AXKSA1 за ціною від 245.68 грн до 507.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPW65R099CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPW65R099CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPW65R099CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |