Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R110CFDAFKSA1
IPW65R110CFDAFKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies

ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+368.55 грн
102+349.65 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPW65R110CFDAFKSA1 за ціною від 407.02 грн до 558.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+407.02 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+558.50 грн
30+477.04 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPW65R110CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+407.02 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPW65R110CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+558.50 грн
30+477.04 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R110CFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDAFKSA1 INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R110CFDAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.