IPW65R110CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.59 грн |
| 10+ | 476.32 грн |
| 25+ | 382.55 грн |
| 100+ | 378.14 грн |
| 240+ | 320.76 грн |
| 1200+ | 299.42 грн |
| 2640+ | 286.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R110CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 277.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R110CFDFKSA1 за ціною від 442.35 грн до 643.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R110CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 277.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
IPW65R110CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
IPW65R110CFDFKSA1 Код товару: 196399
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |