Продукція > INFINEON > IPW65R110CFDFKSA1
IPW65R110CFDFKSA1

IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON


INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+584.16 грн
10+ 484.55 грн
25+ 401.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 277.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPW65R110CFDFKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399
Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
товар відсутній
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFD_DS_v02_06_en-3165807.pdf MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
товар відсутній