IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 277.47 грн |
| 500+ | 263.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW65R115CFD7AXKSA1 за ціною від 167.40 грн до 505.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPW65R115CFD7AXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW65R115CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 323.03 грн |
| IPW65R115CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 369.47 грн |
| 30+ | 201.41 грн |
| 120+ | 167.40 грн |
| IPW65R115CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 505.76 грн |
| 29+ | 498.27 грн |
| 50+ | 327.67 грн |
| IPW65R115CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW65R115CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





