IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies


infineonirhnpc9a7214irhnpc9a3214datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+306.44 грн
500+291.12 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 116 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 114W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm.

Інші пропозиції IPW65R115CFD7AXKSA1 за ціною від 212.56 грн до 516.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+325.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c02958e0092d Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.80 грн
30+271.42 грн
60+247.02 грн
120+212.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+509.17 грн
29+501.62 грн
50+329.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies infineonirhnpc9a7214irhnpc9a3214datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies infineonirhnpc9a7214irhnpc9a3214datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+516.89 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 INFINEON 3919307.pdf Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 114W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 infineon-ipw65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+325.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c02958e0092d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.80 грн
30+271.42 грн
60+247.02 грн
120+212.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 infineon-ipw65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+509.17 грн
29+501.62 грн
50+329.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 infineonirhnpc9a7214irhnpc9a3214datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+516.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 infineonirhnpc9a7214irhnpc9a3214datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+516.89 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 3919307.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 114W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.