IPW65R145CFD7AXKSA1

IPW65R145CFD7AXKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipw65r145cfd7a-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R145CFD7AXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPW65R145CFD7AXKSA1 за ціною від 135.01 грн до 476.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW65R145CFD7AXKSA1 IPW65R145CFD7AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW65R145CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362672.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.09 грн
25+243.62 грн
100+189.47 грн
240+175.29 грн
480+135.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R145CFD7AXKSA1 IPW65R145CFD7AXKSA1 Виробник : INFINEON 3177167.pdf Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+476.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R145CFD7AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r145cfd7a-datasheet-v02_01-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R145CFD7AXKSA1 IPW65R145CFD7AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw65r145cfd7a-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R145CFD7AXKSA1 IPW65R145CFD7AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R145CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ed46c42bd Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.